254 nm 280 nm LED-UVC-Licht 50 W 100 W 200 W

Anwendung :

• photochemische Reaktion

• UV-Härtung usw

• Drucken

• Beschichtung

• Klebstoff

• Fälschungserkennung/Sicherheit

• UV-Taschenlampe

• Fluoreszenzfotografie

• Zahnheilung

• Kriminalinspektion

• Erkennung von Öllecks

. UV-LED-Desinfektionslicht

. UV-Lampe für photochemische Reaktion

Parameter:

1. Bridgelux-, Epistar- und Epileds-Chips

2. Japanische Dow Corning Silicon-Verpackung, im Einklang mit dem Umweltschutz

Fluoreszierendes Pulver von Intematix, Qualitätssicherung

3. UV-Wellenlänge: UVC 254 nm, 280 nm LED-UV-Licht, UVB 320 nm -280 nm, UVA: 400 nm -320 nm

4. Leistung: 50 W, 100 W, 150 W, 200 W

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254 nm 280 nm LED-UVC-Licht 50 W 100 W 200 W

LEDs UVC
Zu den Anwendungen für ultraviolette (UV) LEDs gehören die Aufbereitung von Wasser, die optische Datenspeicherung, die Kommunikation, die Erkennung biologischer Wirkstoffe und die Aushärtung von Polymeren. Wellenlängen zwischen 100 nm und 280 nm werden als UVC-Anteil des UV-Spektrums bezeichnet.

Die ideale Wellenlänge für die Desinfektion liegt zwischen 260 und 270 nm, wobei längere Wellenlängen zu einer exponentiell geringeren keimtötenden Wirksamkeit führen. Im Vergleich zu herkömmlichen Quecksilberlampen bieten UVC-LEDs eine Reihe von Vorteilen, darunter das Fehlen gefährlicher Materialien, das sofortige Ein-/Ausschalten ohne Zyklusbeschränkungen, einen geringeren Wärmeverbrauch durch gezielte Wärmeentnahme und eine längere Haltbarkeit.

Bei UVC-LEDs ist ein höherer Molanteil an Aluminium erforderlich, um kurzwellige Emission zu erzeugen (260 nm bis 270 nm zur Desinfektion), was das Wachstum und die Dotierung des Materials zu einer Herausforderung macht. Historisch gesehen war Saphir das am häufigsten verwendete Substrat für III-Nitride, da gitterangepasste Massensubstrate nicht leicht zugänglich waren. Eine erhebliche Gitterfehlanpassung zwischen Saphir und der AlGaN-Struktur mit hohem Al-Gehalt von UVC-LEDs führt zu mehr nichtstrahlender Rekombination (Defekten). Der Unterschied zwischen den beiden Technologien scheint im UVB-Bereich und bei längeren Wellenlängen weniger ausgeprägt zu sein, wo die Gitterfehlanpassung mit AlN größer ist, weil höhere Ga-Konzentrationen erforderlich sind. Dieser Effekt scheint sich bei höherer Al-Konzentration zu verschlimmern, sodass UVC-LEDs auf Saphirbasis bei Wellenlängen unter 280 nm tendenziell schneller an Leistung verlieren als UVC-LEDs auf AlN-Basis.
 

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